[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811481138.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109659409B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张骏;杜士达;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层、P型GaN接触层；所述N型AlGaN层与电流扩展层之间还设置有电子减速层，所述电子减速层为Al |
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| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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