[发明专利]绝缘体上覆硅基板的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201811481775.X | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110391173B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈步芳;林诗杰;卢一斌;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种绝缘体上覆硅(SOI)基板的制造方法，包括：沉积一蚀刻停止层于一虚设晶圆之上；生长一外延硅层于蚀刻停止层之上；形成一去疵层于外延硅层之上；接合一主要晶圆的一埋藏氧化层至去疵层；以及在移除虚设晶圆和蚀刻停止层以暴露外延硅层。SOI基板具有与去疵层连接的一外延硅层，其中去疵层中介于埋藏氧化层和外延硅层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上覆硅基板 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上覆硅基板的制造方法，该方法包括：形成一外延层于一第一基板之上；沉积一去疵层于该外延层之上；接合一第二基板至该去疵层，其中该第二基板包括一绝缘层，且在接合该第二基板之后，该绝缘层与该去疵层连接；以及移除该第一基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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