[发明专利]钝化接触N型太阳电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种钝化接触N型太阳电池的制备方法，包括：对基体进行硼扩散，以在所述基体的正面形成发射结，且硼扩散后，所述基体的背面形成有背面硼扩散层，所述发射结上形成有硼硅玻璃层；去除所述背面硼扩散层；在所述基体的背面形成背面氧化层；在所述背面氧化层的与所述基体相背的一侧形成背面多晶硅，同时，所述硼硅玻璃层的与所述基体相背的一侧也绕镀有正面多晶硅；对所述背面多晶硅进行掺杂，得到掺杂层；依次分别去除所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层，且所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层分别利用不同的溶液去除；本发明可降低去除正面多晶硅时对硼硅玻璃层下发射极造成的损伤，起到保护作用，有利于提高太阳电池发电性能。

主权项

1.一种钝化接触N型太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：对基体进行硼扩散，以在所述基体的正面形成发射结，且硼扩散后，所述基体的背面形成有背面硼扩散层，所述发射结上形成有硼硅玻璃层；去除所述背面硼扩散层；在所述基体的背面形成背面氧化层；在所述背面氧化层的与所述基体相背的一侧形成背面多晶硅，同时，所述硼硅玻璃层的与所述基体相背的一侧也绕镀有正面多晶硅；对所述背面多晶硅进行掺杂，得到掺杂层；依次分别去除所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层，且所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层分别利用不同的溶液去除；在所述掺杂层的与所述背面氧化层相背的一侧形成背面钝化层，在所述发射结的与所述基体相背的一侧形成正面钝化层；在所述背面钝化层的与所述掺杂层相背的一侧形成背面金属电极，在所述正面钝化层的与所述发射极相背的一侧形成正面金属电极，所述背面金属电极与所述掺杂层欧姆连接，所述正面金属电极与所述发射极欧姆连接。