[发明专利]双层隔离层的SOI衬底有效
| 申请号： | 201811484632.4 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111290077B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 方青;汪巍;涂芝娟;蔡艳;曾友宏;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/124;G02B6/14;G02B6/26;G02B6/34 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 隔离 soi 衬底 | ||
【主权项】：
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