[发明专利]嵌有阶段性动态阈值损耗均衡模块的NAND Flash主控芯片

摘要

本发明属于计算机技术领域，具体涉及一种嵌有阶段性动态阈值损耗均衡模块的NAND Flash主控芯片。本发明主控芯片会依据闪存块的磨损程度划分闪存芯片的寿命阶段，推迟损耗均衡处理的开始时间，减少了一定的损耗均衡处理到来的额外开销。动态阈值计算单元的加入可以确保闪存芯片在擦除次数处于不同数值范围对磨损不均衡度有不同程度的控制，而不是只能控制在一个固定的较大的范围内，提高了闪存芯片在使用后期时的利用率。此外，数据迁移单元提供的数据迁移机制可以保护擦除次数较大的闪存块，降低它们被垃圾回收模块选中擦除的概率。

主权项

1.一种嵌有阶段性动态阈值损耗均衡模块的NAND Flash主控芯片，其特征在于，所述主控芯片包括：地址映射模块(1)、垃圾回收模块(2)、损耗均衡模块(3)、坏块管理模块(4)、闪存寿命阶段判定单元、系统数据表维护单元、上层接口(7)、Flash阵列接口(8)；其中，所述地址映射模块(1)用于实现逻辑地址和物理地址之间的相互转换；所述垃圾回收模块(2)用于释放被无效数据占据的存储空间；所述损耗均衡模块(3)用于根据损耗均衡预处理信号控制闪存块之间的磨损不均衡程度；所述坏块管理模块(4)用于对出厂坏块及使用过程中产生的坏块进行管理；所述闪存寿命阶段判定单元用于根据擦除次数表来判断闪存芯片当前使用寿命，若判断结果为磨损过度则向损耗均衡模块(3)发出损耗均衡预处理信号；所述系统数据表维护单元用于闪存设备上电后，维护一个闪存块的擦除次数表，并在每次擦除操作后更新数据；所述上层接口(7)用于接收主机端发送来的数据及命令；所述Flash阵列接口(8)用于与Flash颗粒进行信息交互。