[发明专利]应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

摘要

本发明属于计算机技术领域，具体涉及一种应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法。与现有技术相比较，本发明的优化方法以芯片中闪存块的磨损程度划分闪存芯片的寿命阶段，推迟了损耗均衡处理的开始时间，减少了一定的损耗均衡处理到来的额外开销。动态阈值计算单元的加入可以确保闪存芯片在擦除次数处于不同数值范围对磨损不均衡度有不同程度的控制，而不是只能控制在一个固定的较大的范围内，提高了闪存芯片在使用后期时的利用率。此外，数据迁移单元提供的数据迁移机制可以保护擦除次数较大的闪存块，降低它们被垃圾回收模块选中擦除的概率。

主权项

1.一种应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法，其特征在于，所述方法基于损耗均衡系统来实施，所述损耗均衡系统包括：数据维护单元、寿命阶段判定单元、动态阈值计算单元、比较单元；所述方法包括如下步骤：步骤1：闪存设备上电后，数据维护单元维护一个闪存块的擦除次数表，并在每次擦除操作后更新数据；步骤2：寿命阶段判定单元根据擦除次数表来判断闪存芯片当前使用寿命，若判断结果为磨损过度则向动态阈值计算单元发出损耗均衡预处理信号；步骤3：动态阈值计算单元接收该损耗均衡预处理信号，定期的根据当前使用情况来计算动态阈值，并将该动态阈值发送给比较单元；步骤4：比较单元接收动态阈值，并利用擦除次数表来计算闪存芯片损耗的不均衡程度，根据比较的不同结果输出信号不同，若不均衡程度超过了阈值则输出处理信号到数据迁移单元，否则反馈到寿命阶段判定单元；步骤5：数据迁移单元接收到处理信号后把擦除次数小的数据块检索出来，将上面的数据迁移到当前擦除次数最大的空闲块上，并向擦除单元发出擦除信号；步骤6：擦除单元在接收到信号后将选中的数据块擦除，输出信号给数据维护单元，更新记录数据的表格。