[发明专利]单片集成双波长半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811485068.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111276867B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杨成奥;牛智川;张宇;徐应强;谢圣文;张一;尚金铭;黄书山;袁野;苏向斌;邵福会 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/20;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。该半导体激光器包括：第一激光器、第二激光器、第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一激光器包括第一激光器P电极，所述第二激光器包括第二激光器P电极和第二激光器桥电极；其中，所述第二激光器P电极位于第一激光器P电极与第二激光器桥电极之间，所述第一隔离槽制备于第一激光器P电极和第二激光器P电极之间；所述第二隔离槽制备于第二激光器P电极和第二激光器桥电极之间。本发明中，通过两个激光器电流和隔离槽的特殊设计，使得两个激光器可以同时或者分别单独工作。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 波长 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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