[发明专利]一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法

摘要

本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；进行电容耦合等离子体处理；最后将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。本发明的方法能够有效地将杂质激活，等离子体的自偏压能够使氦离子与样品表层晶格发生碰撞，从而局部地破坏硅晶格周期性，而正是由于这一改变，硅样品在快速退火处理中，间隙位的杂质原子在周期性已经被部分破坏的硅中较容易地进入代位位置，从而被有效激活，使空穴浓度上升。

主权项

1.一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，包括如下步骤：(1)将硅样品抛光并清洗；(2)在电容耦合等离子体真空发生腔室底部连接射频电源的电容耦合极板上放置大硅片；(3)将杂质源和硅样品放置在大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；(4)电容耦合等离子体处理：工作气体为惰性气体，电容耦合等离子体处理的功率为10‑2000W，电容耦合等离子体处理的时间为1‑120min；(5)退火处理：将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。