[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 201811486617.3 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109935666A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李东建;金容一;李振燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体堆叠件 布拉格反射器 分散式 发光 粘合层 半导体发光装置 发光装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件、布置在所述第一半导体堆叠件下方的第一下分散式布拉格反射器层和布置在所述第一半导体堆叠件上方的第一上分散式布拉格反射器层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件、布置在所述第二半导体堆叠件下方的第二下分散式布拉格反射器层和布置在所述第二半导体堆叠件上方的第二上分散式布拉格反射器层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件、布置在所述第三半导体堆叠件下方的第三下分散式布拉格反射器层和布置在所述第三半导体堆叠件上方的第三上分散式布拉格反射器层；第一粘合层，其布置在所述第一发光部分与所述第二发光部分之间；以及第二粘合层，其布置在所述第二发光部分与所述第三发光部分之间。
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