[发明专利]一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用

摘要

本发明涉及一种掺杂碳的氧化镓薄膜及其制备方法与应用。所述掺杂碳的氧化镓薄膜中所掺杂的碳与氧化镓的分子比为0.05％‑5％。具体的，将石墨片研磨成粉与氧化镓粉末混合后压制成陶瓷靶材，通过磁控溅射的方法，在衬底温度为550‑750℃的生长条件下，制备氧化镓薄膜。本发明通过碳元素掺杂，提高氧化镓薄膜的导电性能，且薄膜能够保持很好的光电响应性能。本发明可实现工业化生产，操作步骤简单、成本低廉，靶材重复利用率高，制备的薄膜结晶性好、厚度稳定均一、重复性好。

主权项

1.一种掺杂碳的氧化镓薄膜，其特征在于，所掺杂的碳与氧化镓的分子比为0.05％‑5％。