[发明专利]非极性面型BeZnOS合金晶体基MSM紫外光探测器及制备方法有效
申请号: | 201811487857.5 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN109585591B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 何云斌;张武忠;黎明锴;王其乐;卢寅梅;常钢;李派;陈俊年;张清风 | 申请(专利权)人: | 湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/108;H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 杨采良 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种非极性面型BeZnOS合金晶体MSM紫外光探测器及其制备方法。本发明的探测器首先采用常规脉冲激光烧蚀沉积或磁控溅射、电子束蒸发等方法在r面蓝宝石上生长a面的BeZnOS薄膜,使薄膜即有源层内部就存在与表面平行的自发极化电场,然后利用蒸镀法或光刻法在BeZnOS薄膜表面形成一对指间距为5~100μm的平行金属电极制得。本发明探测器对波长在300nm左右的紫外光具有良好的探测能力,有着较快的响应速度和较小的暗电流。另外,本发明的电极形状以及沟道宽度均可以自由设计和优化,且本发明制得的MSM结构的紫外光探测器结构简单,制作工艺简单,方便大规模制备。 | ||
搜索关键词: | 极性 beznos 合金 晶体 msm 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于非极性面型BeZnOS合金晶体的MSM紫外光探测器,其特征在于:所述探测器从下至上依次包括r面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极,其中:所述有源层为a面BeZnOS四元合金薄膜,所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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