[发明专利]一种m面BeZnOS基非P-N结型透明薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种m面BeZnOS基非P‑N结型透明薄膜太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、光吸收层、一对平行金属电极，其中：所述光吸收层为m面BeZnOS四元合金外延薄膜，所述平行电极用于收集光生电子，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向；所述光吸收层的厚度为200～800nm，所述平行电极的厚度为10～100nm，优选为80nm。本发明通过改变衬底，成功制备了m面取向的非极性BeZnOS外延薄膜，并创新性地利用该薄膜内部自发极化电场来分离光生载流子，从而实现光能到电能的转换。

主权项

1.一种m面BeZnOS基非P‑N结型透明薄膜太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、光吸收层、一对平行金属电极，其中：所述光吸收层为m面BeZnOS四元合金外延薄膜，所述平行电极用于收集光生电子，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向。