[发明专利]一种基于BeZnOS四元合金的自发极化场增强型紫外光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811489159.9 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109585593B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 何云斌;王其乐;卢寅梅;张武忠;黎明锴;常钢;李派;陈俊年;张清风 | 申请（专利权）人： | 湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BeZnOS四元合金的自发极化场增强型紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极，其中：所述有源层为m面BeZnOS四元合金薄膜，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向。本发明通过在单晶m面蓝宝石上生长外延的m面BeZnOS薄膜，蒸镀垂直于薄膜c轴的金属电极，充分利用自发极化电场和外加电场叠加增强促进光生载流子的分离，增强光探测能力。另外，本发明制得的MSM结构的紫外光探测器结构简单，制作工艺也简单，探测器对300nm波长的紫外光具有良好的探测能力，且响应速度快、暗电流小，性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 beznos 合金 自发 极化 增强 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于BeZnOS四元合金的自发极化场增强型紫外光探测器，其特征在于：所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极，其中：所述有源层为m面BeZnOS四元合金薄膜，所述平行金属电极垂直于所述BeZnOS四元合金薄膜的c轴方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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