[发明专利]一种高度均一的微锥阵列结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811489271.2 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109365995A 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 李垚;任飞飞;豆书亮;赵九蓬;张伟岩;李龙 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B23K26/0622 分类号: B23K26/0622;B23K26/082;B23K26/046;B23K26/70
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种高度均一的微锥阵列结构的制备方法,本发明涉及微锥阵列结构的制备方法领域。本发明要解决现有方法制备的微锥阵列结构存在的均匀性差,制备工艺繁琐,无法大面积加工,材料普适性差的问题。方法:一、将激光焦点中心聚焦在样品上表面;二、设置激光单脉冲能量;三、设置平面网格路径,然后采用激光扫描样品上表面;四、利用去离子水超声清洗处理后的样品。本发明可以通过调节激光脉冲能量、脉冲速率和振镜扫描参数,实现微锥的尺寸及形貌结构的精确调谐,有利于功能微结构的最优设计。本发明用于制备高度均一的微锥阵列结构。
搜索关键词: 微锥 阵列结构 制备 均一 上表面 激光单脉冲能量 激光脉冲能量 调谐 功能微结构 超声清洗 激光焦点 激光扫描 均匀性差 去离子水 设置平面 网格路径 形貌结构 振镜扫描 制备工艺 最优设计 普适性 速率和 脉冲 聚焦 加工
【主权项】:
1.一种高度均一的微锥阵列结构的制备方法,其特征在于该方法具体按以下步骤进行:一、通过三维移动台调整基板高度,定位样品,将激光焦点中心聚焦在样品上表面;二、设置激光单脉冲能量;三、利用三维移动台设置平面网格路径,然后采用激光扫描样品上表面;四、利用去离子水超声清洗处理后的样品,完成所述高度均一的微锥阵列结构的制备方法。
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