[发明专利]半导体器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201811490785.X | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109889203A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 罗承仁;朴多顺 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03M3/00 | 分类号： | H03M3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：环路滤波器，其接收差分模拟信号并产生指示模拟输入信号和反馈信号之间的误差的残差信号；第一ADC，其接收残差信号并产生第一数字表示；第二ADC，其接收模拟输入信号并产生与模拟输入信号相对应的第二数字表示；以及数模转换器(DAC)，其接收第一数字表示和第二数字表示之和，并产生模拟反馈信号。至少第一ADC是多位逐次逼近寄存器ADC。 | ||
| 搜索关键词： | 数字表示 模拟输入信号 半导体器件 残差信号 逐次逼近寄存器 差分模拟信号 模拟反馈信号 环路滤波器 数模转换器 反馈信号 指示模拟 多位 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：环路滤波器，接收差分模拟信号并产生指示模拟输入信号和反馈信号之间的误差的残差信号；第一模数转换器ADC，接收所述残差信号并产生第一数字表示；第二ADC，接收所述模拟输入信号并产生与所述模拟输入信号相对应的第二数字表示；以及数模转换器DAC，接收所述第一数字表示和所述第二数字表示之和，并产生模拟反馈信号，其中所述第一ADC是使用第一阶跃电压的多位逐次逼近寄存器SAR ADC。
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