[发明专利]一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结在审
| 申请号： | 201811490932.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109560121A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;王天堃 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的上表面设置有相互间隔的左旋结构阵列、右旋结构阵列，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的，本专利申请的技术方案通过圆偏振光产生热场或者直接采用热场调节吸收率，使得N型半导体的局部温度不同，实现了双场调控的方式，而且比较容易进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 热场 肖特基结 圆偏振光 双调控 吸收率 载流子 肖特基势垒 定向移动 温度梯度 右旋结构 左旋结构 金属体 上表面 微电流 调控 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于圆偏振光、热场双调控方式的肖特基结，包括N型半导体(1)，以及与N型半导体(1)相连的金属体(2)，其特征在于：所述N型半导体(1)的上表面设置有相互间隔的左旋结构阵列(3)、右旋结构阵列(4)。
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