[发明专利]一种基于磁场、电流调控的双控肖特基结在审
| 申请号： | 201811490936.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109599444A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于磁场、电流调控的双控肖特基结，包括N型半导体以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的外表面设置有调节装置，调节装置包括设置在N型半导体外围的绝缘导热层，设置在绝缘导热层外围的导电层，所述导电层加载有与肖特基势垒垂直的电流，所述调节装置置于垂直于导电层加载的电流、肖特基势垒的磁场中；该基于磁场、电流调控的双控肖特基结，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基结 磁场 肖特基势垒 电流调控 调节装置 导电层 双控 绝缘导热层 载流子 外围 定向移动 温度梯度 垂直的 金属体 微电流 加载 垂直 调控 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁场、电流调控的双控肖特基结，包括N型半导体(1)，以及与N型半导体(1)相连的金属体(2)，其特征在于：所述N型半导体(1)的外表面设置有调节装置(3)，调节装置(3)包括设置在N型半导体(1)外围的绝缘导热层(4)，设置在绝缘导热层(4)外围的导电层(5)，所述导电层(5)加载有与肖特基势垒垂直的电流，所述调节装置(3)置于垂直于导电层(5)加载的电流、肖特基势垒的磁场中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金华伏安光电科技有限公司，未经金华伏安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811490936.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
