[发明专利]一种双场调控的肖特基结在审
| 申请号： | 201811490966.2 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109461771A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双场调控的肖特基结，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的表面设置有等间隔排列的不同高度的金属条；该双场调控的肖特基结，解决现有的肖特基结在调控肖特基势垒的方式方面，比较单一，这极大的限制了肖特基结的功能应用的问题，通过改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，达到调控肖特基结的肖特基势垒的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基结 调控 肖特基势垒 载流子 等间隔排列 表面设置 定向移动 功能应用 温度梯度 金属体 金属条 微电流 | ||
【主权项】：
1.一种双场调控的肖特基结，包括N型半导体(1)，以及与N型半导体(1)相连的金属体(2)，其特征在于：所述N型半导体(1)的表面设置有等间隔排列的不同高度的金属条(3)。
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