[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201811492303.4 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110660774A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 江家纬;方立志;范文正 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张晓霞;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装，包括半导体管芯、第一重布线路结构、导电结构和绝缘密封体。第一重布线路结构包括介电凸起。第一重布线路结构包括黏晶区域和围绕黏晶区域的周围区域。半导体管芯设置在黏晶区域内的第一重布线路结构上。介电凸起设置在周围区域中并在半导体管芯的厚度方向上延伸。导电结构设置在周围区域内的第一重布线路结构上并密封介电凸起。导电结构电耦接到第一重布线路结构和半导体管芯。绝缘密封体设置在第一重布线路结构上并密封半导体管芯和导电结构。另提供一种半导体封装的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 重布线路结构 半导体管芯 导电结构 周围区域 介电 黏晶 半导体封装 绝缘密封体 凸起 密封半导体 凸起设置 电耦 管芯 密封 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：/n半导体管芯；/n第一重布线路结构，包括介电凸起，其中所述第一重布线路结构包括黏晶区域和围绕所述黏晶区域的周围区域，所述半导体管芯设置在所述黏晶区域内的所述第一重布线路结构上，所述介电凸起位于所述周围区域，并沿所述半导体管芯的厚度方向延伸；/n导电结构，设置在所述周围区域内的所述第一重布线路结构上并密封所述介电凸起，其中所述导电结构电耦接到所述第一重布线路结构和所述半导体管芯；以及/n绝缘密封体，设置在所述第一重布线路结构上，并密封所述半导体管芯和所述导电结构。/n
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