[发明专利]用于半导体处理的气体分配喷头有效
申请号: | 201811492381.4 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN109594061B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | A·N·恩古耶;D·卢博米尔斯基;M·T·萨米尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及气体分配板中的递归质量流量分配。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 气体 分配 喷头 | ||
【主权项】:
1.一种处理腔室,包含:腔室主体,至少部分地限定所述腔室主体内的处理容积;基板支撑件,设置在所述处理容积中并与所述腔室主体耦接;入口适配器;气体分配组件,包含:混合歧管,限定多个混合通道;区隔板,包含:内区,限定第一多个气体孔;外区,限定第二多个气体孔;及第一阻障壁,将所述内区与所述外区分开;及双区喷头,与所述区隔板耦接,所述双区喷头包含:内区,限定第三多个气体孔;外区,限定第四多个气体孔;及沟槽,设置在所述内区与所述外区之间,其中所述沟槽经配置以接受所述第一阻障壁,使得所述双区喷头的内区与所述双区喷头的外区实体分离;及其中所述第一多个气体孔和所述第三多个气体孔经图案化以避免同轴流动,且其中所述第二多个气体孔和所述第四多个气体孔经图案化以避免同轴流动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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