[发明专利]去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法在审
| 申请号： | 201811493436.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109727856A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 穆帅帅;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 富乐德科技发展（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 301712 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法，包括以下步骤：将刻蚀后的金属基体放入反应室内；在反应室中充满氧气和四氟化碳的混合气体，氧气与四氟化碳的体积比为2：3‑2：5；将反应室升温并保持在130‑180℃，对反应室抽真空至5‑15Torr；利用200‑700瓦功率的等离子体对金属基体进行反应刻蚀，经过30‑80min反应后去除金属基体表面的氮化钽薄膜。本发明能够去除金属基体表面存留的氮化钽薄膜，技术简单、易于实施，且反应室可以使用金属基体正常刻蚀时的同一反应室，设备成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属基体表面 氮化钽薄膜 反应室 去除 金属基体 刻蚀 四氟化碳 附着 氧气 清洗 等离子体 反应室抽真空 混合气体 设备成本 体积比 放入 室内 | ||
【主权项】：
1.一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将刻蚀后的金属基体放入反应室内；B、在反应室中充满氧气和四氟化碳的混合气体，氧气与四氟化碳的体积比为2：3‑2：5；C、将反应室升温并保持在130‑180℃，对反应室抽真空至5‑15Torr；D、利用200‑700瓦功率的等离子体对金属基体进行反应刻蚀，经过30‑80min反应后去除金属基体表面的氮化钽薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
