[发明专利]一种低杂质及低层数氧化石墨烯制备系统有效
| 申请号： | 201811493703.7 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109231197B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李星;刘长虹;蔡雨婷;漆长席;蒋虎南 | 申请（专利权）人： | 四川聚创石墨烯科技有限公司;大英聚能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 熊礼;邢伟 |
| 地址： | 610036 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低杂质及低层数氧化石墨烯制备系统，所述系统包括氧化石墨烯纯化装置和低层数氧化石墨烯制备装置，其中，所述氧化石墨烯纯化装置包括第一进料口、罐体、第一隔板、第二隔板、超声发生单元和第一出料口；所述低层数氧化石墨烯制备装置包括水凝胶形成单元、低温干燥单元和传送机构，所述低层数氧化石墨烯制备装置能够接收所述氧化石墨烯纯化装置纯化后的氧化石墨烯并对其进行冷冻干燥。本发明的系统能够有效地使氧化石墨烯和杂质离子分离，可以提高氧化石墨烯纯化的彻底性，纯化效率高、成本低；通过冷冻干燥过程不会破坏氧化石墨片层的结构，较好的保存官能团，经冷冻干燥后的氧化石墨不易发生团聚现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 杂质 层数 氧化 石墨 制备 系统 | ||
【主权项】：
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