[发明专利]场效应晶体管、片上系统以及制造其的方法

摘要

本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上。介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体片上系统，包括：多个部分环绕栅极场效应晶体管，所述多个部分环绕栅极场效应晶体管中的每一个部分环绕栅极场效应晶体管包括：鳍，包括沟道区的堆叠，所述堆叠包括至少第一沟道区以及堆叠在所述第一沟道区上的第二沟道区；源区以及漏区，位于所述鳍的相对侧上；介电分隔区，包括所述第一沟道区与所述第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于所述鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于所述栅极堆叠的相对侧上，其中所述介电分隔区的一部分具有从所述介电分隔区的外边缘到所述一对侧壁间隔物中的相应一个的内边缘的长度，以及其中所述部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度与所述部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的所述介电分隔区的所述部分的所述长度不同。