[发明专利]静电感测装置有效
| 申请号： | 201811495586.8 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110021670B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重;岩松新之辅;阿部泰;村上穰;矢作彻;加藤睦人 | 申请（专利权）人： | 天马日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G01R29/12;G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 静电感测装置包括传感器氧化物半导体TFT以及被配置为控制传感器氧化物半导体TFT的控制器。传感器氧化物半导体TFT包括：氧化物半导体有源层；与氧化物半导体有源层连接的源极；与氧化物半导体有源层连接的漏极；在氧化物半导体有源层后面的栅极；以及在栅极和氧化物半导体有源层之间的栅极绝缘层。控制器被配置为测量在源极和漏极之间流动的电流与参考电流的差，同时向栅极施加驱动电压，并基于与参考电流的差的方向而确定测量目标的静电电荷的极性。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电感测装置，其被配置为测量被放置在所述静电感测装置前面的测量目标的静电电荷，所述静电感测装置包括：传感器氧化物半导体TFT；和控制器，其被配置为控制所述传感器氧化物半导体TFT，其中所述传感器氧化物半导体TFT包括：氧化物半导体有源层；与所述氧化物半导体有源层连接的源极；与所述氧化物半导体有源层连接的漏极；在所述氧化物半导体有源层后面的栅极；以及在所述栅极和所述氧化物半导体有源层之间的栅极绝缘层，并且其中所述控制器配置为：测量在所述源极和所述漏极之间流动的电流与参考电流的差，同时向所述栅极施加驱动电压；并且基于与所述参考电流的差的方向而确定所述测量目标的静电电荷的极性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天马日本株式会社，未经天马日本株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811495586.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
