[发明专利]基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811495831.5 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111293215A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰;陈治西;刘晨鹤;任青华;赵兰天;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;H01L27/22;C23C16/455;C23C16/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层；固定磁层；隧穿层；自由磁层，所述自由磁层为二维铁磁材料层；第二金属过渡层；第二金属连接层。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，相比于溅射工艺来说，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明的自由磁层为二维铁磁材料层，其厚度较薄，一方面可以提高磁性隧穿结器件的磁化取向速度，另一方面可以获得较为轻薄的磁性隧穿结器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 自由 磁性 隧穿结 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811495831.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
