[发明专利]一种多波长激光器阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 201811496382.6 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110061423A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 黄长统;薛正群;苏辉;刘阳;吴林福生;杨重英 | 申请（专利权）人： | 深圳市特发信息股份有限公司;中国科学院福建物质结构研究所;福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/40 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 姚正阳;张田勇 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种多波长激光器阵列及其制造方法，所述阵列包括衬底及利用不同宽度的介质掩膜在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层，所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层；在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。该阵列实现了单片上多波长输出的激光器阵列，降低了激光器实际应用成本，减小了体积。 | ||
| 搜索关键词： | 选择生长 多波长激光器阵列 覆盖层 外延层 衬底 腐蚀停止层 激光器阵列 欧姆接触层 多量子阱 介质掩膜 上波导层 下波导层 应用成本 阵列实现 激光器 多波长 过渡层 缓冲层 空间层 波长 单片 减小 制造 输出 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于选择区域外延技术制造多波长激光器阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在衬底上利用多对宽度不同的介质掩膜形成多个选择生长区域；S2、在所述选择生长区域依次外延生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层；S3、去除介质掩膜，依次生长腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。
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