[发明专利]一种分布反馈激光器阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 201811496386.4 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110061424A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;黄长统;苏辉;刘阳;吴林福生;杨重英 | 申请（专利权）人： | 深圳市特发信息股份有限公司;中国科学院福建物质结构研究所;福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 姚正阳;张田勇 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种分布反馈激光器阵列及其制造方法，所述阵列包括衬底及在衬底上依次生长的缓冲层、光栅层、选择生长区域外延层，在所述光栅层的不同区域具有周期不同的均匀光栅，选择生长区域的位置与不同周期的光栅的位置相对应；所述选择生长区域外延层自下而上依次包括间隔层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层；在选择生长区域以外的区域生长有电流阻挡层；在选择生长区域的覆盖层和电流阻挡层上依次生长有空间层和欧姆接触层。该激光器阵列实现了单片上多波长输出的激光器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 选择生长 分布反馈激光器 电流阻挡层 激光器阵列 覆盖层 光栅层 外延层 衬底 欧姆接触层 光栅 多量子阱 均匀光栅 区域生长 上波导层 下波导层 多波长 缓冲层 间隔层 空间层 生长 单片 制造 输出 | ||
【主权项】：
1.一种基于选择区域外延技术制造分布反馈激光器阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在衬底上沉积缓冲层；S2、在缓冲层上生长光栅层，在不同区域制备周期不同的均匀光栅；S3、在光栅层上形成选择生长区域，对应不同周期的光栅形成不同的介质掩膜图形和不同的选择生长区域，使不同周期的光栅的位置与选择生长区域的位置相对应；S4、在选择生长区域依次生长间隔层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层；S5、在选择生长区域表面形成介质掩膜，在选择生长区域以外的区域生长电流阻挡层；S6、去除选择生长区域表面的介质掩膜，再依次生长空间层和欧姆接触层。
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