[发明专利]一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811496829.X | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109728075A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林信南;钟皓天 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种内建SBD保护结构的SiC‑TMOS器件及其制作方法，该SiC‑TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N‑漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N‑漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的侧面设有对称分布的保护结构以对SBD进行耐压保护。第一方面，在AOD层的侧面设置对称分布的保护结构，使得本申请的SiC‑TMOS器件具有双沟道的导通效果，可有效降低导通电阻并增强导通的稳定性；第二方面，由于保护结构中设有P型区域、沟槽栅极区域和P+屏蔽层，使得其具备了三层的耐压保护特性，每个保护层都可形成电荷耦合并在耗尽时减少漏电，提升器件的阻断电压能力也减小了SiC‑TMOS器件在内置SBD时的基础性能所受的影响，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 保护结构 第一金属层 对称分布 漂移层 导通 耐压 内建 阻断电压能力 漏电 侧面设置 导通电阻 沟槽栅极 提升器件 电荷 保护层 屏蔽层 上表面 双沟道 基底 减小 三层 耗尽 制作 侧面 合并 申请 应用 | ||
【主权项】：
1.一种内建SBD保护结构的SiC‑TMOS器件，其包括自下而上设置的N+基底、N‑漂移层，其特征在于，还包括AOD层和第一金属层；所述AOD层设于所述N‑漂移层的上表面，与所述第一金属层接触形成SBD，所述AOD层的侧面设有对称分布的保护结构，所述保护结构用于对所述SBD进行耐压保护。
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