[发明专利]一种具有高晶界电阻的YMCO薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811497893.X | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109628912A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;任茜茜;刘云;薛敏涛;任慧君;夏傲 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C18/12 | 分类号： | C23C18/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高晶界电阻的YMCO薄膜及其制备方法，化学式为YMn1‑yCryO3，其中，0.1≤y≤0.5，六方结构，空间群为P63cm。本发明在YMnO3的B位掺杂过渡金属离子Cr，得到YMn1‑yCryO3薄膜，Cr3+进入YMnO3后抑制了Mn元素的变价，使薄膜结构变得更为规整，从而促进了晶粒的生长，减少了晶界的应力集中，从而减少自由电子或载流子在晶界处的聚集，最终减少漏电流，提高晶界电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 高晶界电阻 晶界 制备 载流子 过渡金属离子 晶粒 薄膜结构 晶界电阻 六方结构 应力集中 自由电子 规整 空间群 漏电流 掺杂 生长 | ||
【主权项】：
1.一种具有高晶界电阻的YMCO薄膜，其特征在于，化学式为YMn1‑yCryO3，其中，0.1≤y≤0.5，六方结构，空间群为P63cm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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