[发明专利]一种提高早梨茎尖脱毒效果的方法在审
| 申请号： | 201811500110.9 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109452156A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 洪森荣;尹明华;廖玉 | 申请（专利权）人： | 上饶师范学院 |
| 主分类号： | A01G31/00 | 分类号： | A01G31/00;A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 334001 江西省上饶市信州*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 提高早梨茎尖脱毒效果的方法：用三种含有石墨烯量子点和碳纳米管的培养基依次对早梨试管苗进行培养，热处理后切取茎尖培养90d后，可形成成活率和脱毒率高的健壮试管苗。本发明与现有技术比较，早梨茎尖成活率高，且形成的试管苗脱毒效果好，生长健壮。 | ||
| 搜索关键词： | 茎尖脱毒 试管苗 成活率 健壮试管苗 热处理 切取茎尖 碳纳米管 脱毒效果 培养基 量子点 石墨烯 茎尖 脱毒 生长 | ||
【主权项】：
1.提高早梨茎尖脱毒效果的方法，其特征在于有以下步骤：(1)将早梨试管苗转移到培养基一：MS+0.3‑0.5g/L石墨烯量子点+30g/L蔗糖+0g/L琼脂，接种后将材料放入培养室进行常规条件培养；(2)在培养基一上培养30d后，将早梨试管苗转移到培养基二：MS+0.3‑0.5g/L碳纳米管+30g/L蔗糖+7.5g/L琼脂，接种后将材料放入培养室进行常规条件培养；(3)在培养基二上培养30d后，将早梨试管苗转移到培养基三：MS+0.3‑0.5g/L石墨烯量子点+0.3‑0.5g/L碳纳米管+30g/L蔗糖+7.5g/L琼脂，接种后将材料放入培养室进行常规条件培养；(4)在培养基三上培养30d后，将早梨试管苗转移到光照培养箱进行常规条件热处理；(5)热处理后，将早梨试管苗置于超净工作台内，在显微镜下切取常规长度的茎尖接种到液体培养基四：0.4M蔗糖+0.3‑0.5g/L石墨烯量子点+0.3‑0.5g/L碳纳米管+0.1M CaCl2，进行常规包埋；(6)包埋后，将茎尖包埋珠接种到常规再生培养基上，后将材料放入培养室进行常规条件培养；(7)培养90d后，早梨形成的试管苗成活率高、生长健壮、脱毒率高。
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