[发明专利]一种S波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件有效
| 申请号： | 201811500565.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109616394B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 丁恩燕;张运俭 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/24 | 分类号： | H01J23/24 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种S波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件，该方案包括有同轴波导外筒、同轴内导体、阴极；同轴波导外筒套在同轴内导体外部；阴极设置在同轴内导体的前端；同轴波导外筒内壁上设置有S波段谐振腔结构；阴极产生的环形电子束经过S波段谐振腔结构后能够激励产生高功率微波。该方案大幅度降低高功率微波源系统体积、重量，并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波段 引导 磁场 紧凑型 功率 微波 器件 | ||
【主权项】：
1.一种S波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件，其特征是：包括有同轴波导外筒、同轴内导体、阴极；所述同轴波导外筒套在同轴内导体外部；所述阴极设置在同轴内导体的前端；所述同轴波导外筒内壁上设置有S波段谐振腔结构；所述阴极产生的环形电子束经过S波段谐振腔结构后能够激励产生高功率微波。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所，未经中国工程物理研究院应用电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811500565.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
