[发明专利]一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法有效
| 申请号： | 201811500610.2 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109742649B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林涛;郝莎莎;宁少欢;李晶晶 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法，包含下述步骤：1)650℃‑720℃条件下，在衬底上先生长一层缓冲层，再依次生长半导体激光器的材料结构中的其他各层薄膜，获得半导体激光器外延片；2)半导体激光器外延片表面处理，在半导体激光器外延片的表面涂覆光刻胶，将光刻胶在高温下进行固化和碳化，使其表面形成一层致密的碳保护膜；3)退火处理，将表面有碳保护膜的半导体激光器外延片在高温退火炉中进行高温退火处理；4)去除半导体激光器外延片表面的碳保护膜，通过去碳保护膜溶液浸泡和超声清洗来除去退火后的半导体激光器外延片表面的碳保护膜；可有效降低外延片缺陷密度，提高激光器外延片质量，保证激光器的优越性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 保护膜 半导体激光器 外延 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳保护膜的半导体激光器外延片的退火方法，其特征在于，包含下述步骤：步骤1，利用MOCVD或MBE生长技术，650℃‑720℃条件下，在衬底上生长一层缓冲层，再依次生长半导体激光器的材料结构中的其他各层薄膜，获得半导体激光器外延片；步骤2，半导体激光器外延片表面处理，具体做法是：清洗半导体激光器外延片表面，在半导体激光器外延片的表面涂覆光刻胶，并将光刻胶在高温下进行固化和碳化，使其在表面形成一层致密的碳保护膜；步骤3，退火处理，具体做法是：将表面有碳保护膜的半导体激光器外延片在高温退火炉中进行高温退火处理；步骤4，去除半导体激光器外延片表面的碳保护膜，具体做法是：通过去碳保护膜溶液浸泡和超声清洗来除去退火后的半导体激光器外延片表面的碳保护膜。
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