[发明专利]氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法

摘要

本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。

主权项

1.一种氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，有由衬底（1）、缓冲层（2）、沟道层（3）及势垒层（4）构成的氮化镓外延片，其特征在于依次按照如下步骤进行：将势垒层（4）表面分出垂直漏电流测试区域（5）及霍尔效应测试区域（6）；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域（5）全部暴露，霍尔效应测试区域（6）正方形测试单元间的隔离区（7）或电极沉积区（8）暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；若霍尔效应测试区域（6）正方形测试单元间的隔离区（7）形成刻蚀沟槽，则进行d.1~d.2 步骤；否则进行d.3~d.7步骤；d.1 去胶；d.2 利用第一荫罩板（9）进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板（9）上均布有第一电极沉积通孔（10）；d.3 利用第二荫罩板（11）进行电极蒸镀或溅射，所述第二荫罩板（11）覆盖垂直漏电流测试区域（5）部位设有第一电极沉积通孔（10）、覆盖霍尔效应测试区域（6）部位镂空；d.4 金属剥离；d.5 对霍尔效应测试区（6）进行第二次光刻，使正方形测试单元间的隔离区（7）暴露；d.6 对霍尔效应测试区（6）进行第二次刻蚀，刻蚀深及沟道层；d.7 去胶；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。