[发明专利]一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法在审
| 申请号： | 201811500893.0 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109671823A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王东博;卓宁;张锦川;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括：掺杂锑源的量子点有源区结构，该量子点有源区结构包括：自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层；进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有源区结构和上限制层。利用本发明，在合适的生长条件下掺入锑原子能够与InAs量子点结合，形成InAsSb三元合金，有效收缩能带带隙，扩展InP基量子点材料的发光波长，这一方法对InP基长波长量子点发光及探测器件的制备具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点有源区 发光波长 量子点材料结构 量子点 量子点材料 材料结构 量子点层 三元合金 上限制层 生长条件 探测器件 下限制层 生长 长波长 缓冲层 浸润层 锑原子 掺入 衬底 带隙 盖层 锑源 制备 收缩 发光 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种InP基量子点材料结构，其特征在于，包括：掺杂锑源的量子点有源区结构，所述量子点有源区结构包括：自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层。
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