[发明专利]集成存储器及集成组合件有效
| 申请号： | 201811502006.3 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110416212B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 横山雄一 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成存储器及集成组合件。一些实施例包含具有电容器的集成组合件。所述电容器具有经配置为向上开口的容器形状的存储节点。所述容器形状具有第一侧表面及第二侧表面。所述第一及第二侧表面沿着所述容器形状的外边缘且彼此成相对关系。所述第二侧表面具有与所述第一侧表面垂直重叠的下部且具有与所述第一侧表面并不垂直重叠的上部。中层晶格邻近所述第一侧表面且支撑所述第一侧表面。高层晶格邻近所述第二侧表面且支撑所述第二侧表面。一些实施例包含集成存储器(例如，DRAM)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 存储器 组合 | ||
【主权项】：
1.一种集成组合件，其包括：电容器；所述电容器沿着横截面具有经配置为向上开口容器形状的存储节点；所述容器形状具有第一侧表面及第二侧表面；所述第一及第二侧表面沿着所述容器形状的外边缘且彼此成相对关系；所述第二侧表面具有与所述第一侧表面垂直重叠的下部且具有与所述第一侧表面并不垂直重叠的上部；中层晶格，其邻近所述第一侧表面且支撑所述第一侧表面；及高层晶格，其邻近所述第二侧表面且支撑所述第二侧表面；所述高层晶格在所述中层晶格上方。
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