[发明专利]IGBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811502349.X | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111293168B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李东升 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件，包括：漂移区，阱区，电荷存储层和多个沟槽，各沟槽穿过P型体区和电荷存储层进入到漂移区中；单元结构中包括一个栅极结构以及其两侧的第二屏蔽电极结构；源区形成于栅极结构的多晶硅栅两侧的阱区中，源区和阱区都通过顶部的接触孔连接到金属源极，栅极结构底部的第一屏蔽电极结构和第二屏蔽电极结构的屏蔽多晶硅都通过对应的接触孔连接到金属源极。本发明还公开了一种IGBT器件的制造方法。本发明能同时改善器件的饱和压降、关断损耗以及抗冲击的性能。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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