[发明专利]MIM电容结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811502715.1 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109638155A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张培健;朱坤峰;张剑乔;王鹏飞;刘建 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MIM电容结构的制作方法，包括：在衬底片上依次淀积好下极板、介质层以及上极板材质；定义出上极板，然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶；在形成上极板的衬底片再次定义出下极板，然后刻蚀形成下极板；去除光刻胶；在形成上、下极板的结构上淀积电容外保护氧化层并进行表面平坦化刻蚀，保证器件表面平整，定义出上、下极极板金属层开孔，形成金属互连结构；去除光刻胶，形成最终MIM电容结构。本发明还提供了一种MIM电容结构。 | ||
| 搜索关键词： | 上极板 光刻胶 下极板 刻蚀 去除 衬底片 淀积 金属互连结构 表面平坦化 极板金属 器件表面 介质层 氧化层 电容 极板 开孔 制作 平整 保证 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容结构的制作方法，包括：S1：在衬底片上依次淀积好下极板、介质层以及上极板材质；S2：定义出上极板，然后刻蚀形成上极板；S3：去除光刻胶；S4：在形成上极板的衬底片再次定义出下极板，然后刻蚀形成下极板；S5：去除光刻胶；S6：在形成上、下极板的结构上淀积电容外保护氧化层并进行表面平坦化刻蚀，保证器件表面平整，定义出上、下极极板金属层开孔，形成金属互连结构；S7：去除光刻胶，形成最终MIM电容结构。
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