[发明专利]菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法在审

专利信息
申请号: 201811503182.9 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109463244A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 徐丽鸣;辛焱;田硕;赵福顺;姜奇峰;谭克;金玉忠;王雨微;耿伟;许世霖;张倩 申请(专利权)人: 吉林省蔬菜花卉科学研究院
主分类号: A01G22/40 分类号: A01G22/40;A01G13/02
代理公司: 长春市吉利专利事务所 22206 代理人: 李晓莉
地址: 130033 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法属于地膜覆盖技术领域。本发明的主要技术环节是:刨坑深10㎝~13㎝,座水播种,水沉后,采用垄两侧覆土,形成齿形垄,双垄覆膜后,形成拱高约15㎝的小拱棚,使菜豆子叶期在膜下度过,避开晚霜,等苗长至接触拱棚时,划破膜,将苗引出。本发明用工少、成本低、采收早、效益高。虽然是地膜覆盖,却起到了小拱的作用,抗风又稳定,达到了育苗移栽的早熟效果,广泛受到了种植者的欢迎。
搜索关键词: 菜豆 地膜覆盖 齿形 地膜覆盖技术 栽培 技术环节 育苗移栽 小拱棚 子叶期 采收 覆膜 覆土 拱高 拱棚 抗风 刨坑 双垄 水沉 小拱 划破 早熟 避开 播种 种植
【主权项】:
1.菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法,其特征是:包括以下步骤,并且以下步骤顺次进行,步骤一、在垄台的中部依次刨坑,坑的深度均为10㎝~13㎝;步骤二、向坑内注水,水沉后向坑内播菜豆种子;步骤三、保持相邻两个坑之间的土不动,将坑两侧的土推入坑中,将种子覆盖,形成齿形垄;步骤四、给齿形垄上部喷除草剂;步骤五、地膜覆盖相邻两条齿形垄,地膜展平并在地膜两侧盖土;步骤六、在地膜的中间与垄沟对应的位置压土,形成以相邻两个坑之间的土为支撑的拱高为12㎝~15㎝的拱棚;步骤七、苗长至接触拱棚,划破膜,将苗引出,并在苗两侧的地膜上压土。
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