[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201811503410.2 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109768136A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;程丁;董彬忠;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述发光二极管外延片还包括依次层叠的第一插入层和第二插入层，所述第一插入层和所述第二插入层设置在所述有源层和所述低温P型层之间；所述第一插入层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第二插入层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓。本发明通过在有源层和低温P型层之间依次设置未掺杂的氮化铝层和P型掺杂的氮化铟镓层，最终提高发光二极管的发光效率和光效。 | ||
| 搜索关键词： | 插入层 发光二极管外延 源层 电子阻挡层 依次层叠 未掺杂 衬底 半导体技术领域 氮化铟镓层 发光二极管 氮化铝层 氮化铟镓 发光效率 依次设置 氮化铝 生长 光效 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述发光二极管外延片还包括依次层叠的第一插入层和第二插入层，所述第一插入层和所述第二插入层设置在所述有源层和所述低温P型层之间；所述第一插入层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第二插入层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓。
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