[发明专利]可调控反射率的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜

摘要

本发明公开了一种调控Zr‑Cu‑Al‑Ti金属玻璃薄膜光学性质的方法。将Zr、Cu、Al、Ti金属原料合成靶材放在多靶磁控溅射镀膜设备的靶位上；基底采用硅单面抛光片，安装在基片架上，调节基片架到靶位的距离；腔体抽真空，将基底温度调至适当温度，然后充入氩气，调节腔内气压，溅射一定时间；将溅射后的硅单面抛光片取出，得到不同基底温度的Zr‑Cu‑Al‑Ti金属玻璃薄膜。本发明制备得到的不同基底温度的金属玻璃薄膜，在可见光波段具有明显不同的光学性质。尤其是具有明显的临界温度，较高温度下的金属玻璃薄膜反射率较高，可用作涂层材料，较低温度下的薄膜反射率较低，可作为良好的吸光材料。可用在光学窗口、微机电系统、手术无影灯和太阳能电池等领域，作为功能元件具有很广的应用前景。

主权项

1.一种可调控反射率的Zr‑Cu‑Al‑Ti金属玻璃薄膜，其特征在于，它通过以下方法制备得到：(1)制备靶材：按Zr、Cu、Al、Ti的原子总含量100at.％计，Zr的原子含量为44.0～49.0at.％，Cu的原子含量为41.5～48.5at.％，Al的原子含量为6.5～7.5at.％，Ti的原子含量为1.0～2.0at.％。将Zr、Cu、Al、Ti按配比混合后置于真空熔炼炉中，在真空度2.5×10‑3～3.0×10‑3帕、电流值2.5～3.0安培下熔炼得到锭子，再将锭子置于浇铸炉中，在真空度1.0×10‑2～8×10‑3帕、电流为60～80安培下浇铸成靶材。(2)将步骤1制备的靶材置于多靶磁控溅射镀膜设备的靶位上。(3)基底采用晶面方向为100的硅单面抛光片，将硅单面抛光片抛光面朝下，安装在多靶磁控溅射镀膜设备的基片架上。(4)将多靶磁控溅射镀膜设备的腔体抽真空至溅射室腔内气压为5.0×10‑7帕，将基底温度调至25～400℃，然后充入体积百分比高于98％的氩气，调节多靶磁控溅射镀膜设备的分子泵挡板阀至腔内气压为0.3帕，在溅射功率79～81W、溅射电流为0.259～0.275安培、溅射电压为292～305伏特、基片架公转速度为3转/分下溅射约66.9～67.1分钟，制得Zr‑Cu‑Al‑Ti金属玻璃薄膜。(5)将制得的Zr‑Cu‑Al‑Ti金属玻璃薄膜转移至与溅射室相连的真空度为8.0×10‑4～9.0×10‑3帕的样品室中，冷却至室温后取出。