[发明专利]一种硅基氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811505251.X | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111293173A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈珍海;鲍婕;宁仁霞;周德金;许媛;刘琦;黄伟 | 申请（专利权）人： | 黄山学院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245041 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基氮化镓增强型HEMT器件，包括硅衬底、氮化镓外延层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、氮化铝插入层、漏极、P型GaN盖帽层、栅极和源极；其中，硅衬底、氮化镓外延层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、氮化铝插入层和P型GaN盖帽层的位置关系为自下向上依次排列；所述氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层之间形成有二维电子气；栅极设置在P型GaN盖帽层上表面，与P型GaN盖帽层电性接触；源极和漏极通过刻蚀工艺，穿过所述P型GaN盖帽层沉积形成在氮化铝插入层的上表面。本发明还公开了该器件的制备方法。本发明的优点是：通过氮化镍薄膜层取代镍金属作为肖特基接触，解决了现有技术中二极管稳定性不够好，反向泄漏电流较大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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