[发明专利]一种含锗硫系化合物的电化学制备方法有效
| 申请号： | 201811506259.8 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109666959B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 童浩;孙雄图;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变材料薄膜制备领域，更具体地，涉及一种含锗硫系化合物的电化学制备方法。本发明在电解液配置过程中加入络合剂以实现锗和硫系元素的共沉积，通过在电解液配置过程中调节电解液pH值及沉积过程中控制反应速率来抑制析氢反应对沉积的影响，解决了含锗硫系化合物沉积过程中出现的因锗元素与硫系元素还原电位差过大及析氢反应使其无法有效共沉积的难题，并在多种环境下实现碲化锗薄膜的沉积。这种沉积方法成本低廉，工艺简单，可灵活调控生长薄膜的结晶取向。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 硫系化合物 电解液 电化学制备 硫系元素 配置过程 共沉积 薄膜 相变材料薄膜 还原电位差 结晶取向 析氢反应 抑制析氢 络合剂 锗元素 碲化锗 制备 生长 调控 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种用于电化学沉积方法制备含锗硫系化合物的电解液，其特征在于，其含有锗离子、硫系元素离子和氨基羧酸盐类络合剂，其中：所述氨基羧酸盐类络合剂与该电解液中的阳离子发生配位络合，降低在电化学沉积含锗硫系化合物时锗离子和硫系元素离子的还原电位差，实现锗和硫系元素的共沉积；且该电解液pH不低于1；根据电解液的pH值选用合适的络合剂：电解液pH为1～4时，所述络合剂为乙二胺四乙酸或二乙烯三胺五乙酸；电解液pH为5～9时，所述络合剂为氨三乙酸或乙二胺四乙酸二钠；电解液pH值为10～12时，所述络合剂为乙二胺四乙酸四钠；所述硫系元素为硒、碲或砷。
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