[发明专利]一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法有效
申请号: | 201811506264.9 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109659272B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 汤自荣;李俊杰;梁琦;史铁林;冯辰;廖广兰 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;B82Y40/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 梁鹏;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于铜互连键合技术领域,更具体地,涉及一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法。该方法包括下列步骤:(a)配制可自修复的铜纳米颗粒浆料,其中包括将铜纳米颗粒在甲酸中预处理,以及将预处理的铜纳米颗粒与还原剂、表面活性剂和粘度调节剂的混合溶剂混合;(b)将可自修复的铜纳米颗粒浆料均匀涂覆在两块铜基底之间,以此形成待键合样品,在真空或者惰性气体氛围中,使得可自修复的铜纳米颗粒浆料中的铜纳米颗粒与两块铜基底之间产生互连,实现铜铜键合,在键合过程中,还原剂将甲酸铜分解还原为铜实现铜纳米颗粒的自修复。通过本发明,实现键合过程中无需还原性气氛,同时具备工艺要求简单、易储存、低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 修复 纳米 颗粒 浆料 低温 铜铜键合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:(a)配制可自修复的铜纳米颗粒浆料(a1)选取铜纳米颗粒进行预处理,该预处理过程包括先将所述铜纳米颗粒置于甲酸中反应,使得该铜纳米颗粒表层的铜氧化物与所述甲酸反应生成甲酸铜,然后将所述铜纳米颗粒进行真空干燥,使得反应剩余的甲酸挥发;(a2)选取还原剂、表面活性剂和粘度调节剂混合获得混合溶剂,将所述预处理后的铜纳米颗粒与所述混合溶剂中混合,混合均匀后获得可自修复的铜纳米颗粒浆料;(b)选取两块铜基底,将所述可自修复的铜纳米颗粒浆料均匀涂覆两块所述铜基底之间,以此形成待键合样品,在真空或者惰性气体氛围中,对所述待键合样品施加压力,使得可自修复的铜纳米颗粒浆料中的铜纳米颗粒与两块铜基底之间产生互连,以此实现铜铜键合,其中,在所述键合过程中,所述还原剂将加速所述甲酸铜分解还原为铜,避免将所述铜纳米颗粒表面的氧化物带入所述键合过程中,以此实现所述铜纳米颗粒的自修复。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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