[发明专利]一种超低功耗半导体功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811507476.9 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109378344A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种只需要一步多晶硅淀积的超低功耗半导体功率器件，其结构包括：半导体基板，半导体基板上开设有单胞沟槽，单胞沟槽的下部设有第一介质层，单胞沟槽上部的侧壁上设有栅极氧化层，栅极氧化层的两侧设有多晶硅层，第一导电类型外延层在单胞沟槽的上部外侧由下而上依次设有第二导电类型注入层和第一导电类型注入层；在单胞沟槽内的两个多晶硅层之间设有高出第一主面的第二介质层；在所述单胞沟槽的中部开设有贯穿第二介质层的中心引出孔，第二介质层在单胞沟槽的上部外侧开设有外部引出孔；中心引出孔中、外部引出孔中、以及第二介质层的表面上设置有相互连通的源极金属层。本发明所述的超低功耗半导体功率器件的用途十分广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 单胞 介质层 引出孔 半导体功率器件 超低功耗 第一导电类型 半导体基板 栅极氧化层 多晶硅层 注入层 多晶硅淀积 源极金属层 导电类型 外延层 外部 侧壁 连通 制备 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板包括有第一导电类型衬底以及设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，其中，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；其特征在于：所述的第一主面上开设有单胞沟槽，单胞沟槽的下部设置有第一介质层，单胞沟槽上部的侧壁上设置有栅极氧化层，单胞沟槽内的栅极氧化层的两侧分别设置有多晶硅层，使得在第一介质层与这两个多晶硅层之间形成第二介质填充区，所述的第一导电类型外延层在单胞沟槽的上部外侧由下而上依次设置有第二导电类型注入层和第一导电类型注入层；在单胞沟槽内的第二介质填充区中设置有高出第一主面的第二介质层；第二介质层在正对着多晶硅层开设有贯穿第二介质层的栅极引出孔，在单胞沟槽的中部开设有贯穿第二介质层并深入第一介质层的中心引出孔，第二介质层在单胞沟槽的上部外侧开设有深入第二导电类型注入层的外部引出孔；中心引出孔中、外部引出孔中以及介质层的表面上设置有相互连通的源极金属层，栅极引出孔中设置有栅极金属层，使得栅极金属层与所述单胞沟槽内的多晶硅层电性连接，形成所述超低功耗半导体功率器件的栅极；所述源极金属层形成所述超低功耗半导体功率器件的源极；所述的第二主面上淀积有金属层，形成超低功耗半导体功率器件的漏极。
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