[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法与应用在审
| 申请号： | 201811507843.5 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109599464A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴化胜;刘亚柱;赵帅;操娟;张洪波;张丽 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/46;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法与应用，包括：提供一衬底；形成一外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构至少包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；移除部分所述外延结构，形成凹槽，以暴露部分所述第二半导体层；移除部分所述电流扩展层，以形成一间隔区于所述电流扩展层和所述凹槽之间；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于暴露出的部分所述第二半导体层上。本发明对现有的发光二极管芯片的制造工艺进行了改善，能够提高发光二极管芯片的亮度，同时也能提高发光二极管芯片的生产良率，能够进行推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 半导体层 电流扩展层 外延结构 电流阻挡层 衬底 移除 第二电极 第一电极 制造工艺 发光层 间隔区 暴露 良率 应用 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：包括，提供一衬底；形成一外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构至少包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；移除部分所述外延结构，形成凹槽，以暴露部分所述第二半导体层；移除部分所述电流扩展层，以形成一间隔区于所述电流扩展层和所述凹槽之间；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于暴露出的部分所述第二半导体层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811507843.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
