[发明专利]一种类石墨碳氮薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811507844.X 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109353998A 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 郑学刚 申请(专利权)人: 临沂大学
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 276005 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于薄膜技术领域,公开了一种类石墨碳氮薄膜的制备方法,将20克三聚氢胺加入高温反应釜,然后将多个硅片或石英衬底清洗后放入釜内;反应釜密闭后放入坩埚炉加热,温度变化范围为400‑550摄氏度之间,时间为3~12小时;反应结束后自然降温,将衬底取出,从上下表面得到g‑CN薄膜。本发明有效克服了现有制备g‑CN薄膜技术中,制备的薄膜往往表面粗糙,与衬底附着力弱,光响应效果差,成本高,制备效率低的技术问题。本发明提供的制备方法简单、易操作;成膜质量较好,易于大批量制备;可在衬底上面表面同时制备薄膜。
搜索关键词: 制备 衬底 薄膜 氮薄膜 石墨碳 放入 附着力 薄膜技术领域 高温反应釜 薄膜技术 三聚氢胺 上下表面 自然降温 反应釜 光响应 石英衬 坩埚炉 成膜 硅片 密闭 加热 清洗 取出
【主权项】:
1.一种类石墨碳氮薄膜的制备方法,其特征在于,所述的类石墨碳氮薄膜的制备方法,具体包括以下步骤:步骤一:将20克三聚氢胺加入高温反应釜,然后将多个硅片或石英衬底清洗后放入釜内;步骤二:反应釜密闭后放入坩埚炉加热,温度为400~550摄氏度,时间3~12小时;步骤三:反应结束后自然降温,将衬底取出,从衬底上下表面得到g‑CN薄膜。
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