[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201811508134.9 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110838492B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 孙昌万;申铉守;全哉垠;黄盛炫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B43/35;H01L23/50;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多条位线，其沿着与第一方向交叉的第二方向设置在存储器单元上方；以及多条第一布线和多条第二布线，其沿着第二方向交替地设置在位线上方，并且在弯曲成锯齿形的同时在第一方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811508134.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
