[发明专利]基于S波片实现的电流测量方法在审
申请号: | 201811509046.0 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109521244A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 徐启峰 | 申请(专利权)人: | 龙岩学院 |
主分类号: | G01R15/24 | 分类号: | G01R15/24;G01R15/18 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人: | 王怡敏 |
地址: | 364012 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种基于S波片实现的电流测量方法,属于电力系统高电流测量技术领域。采用光源和起偏器产生线偏振光,经过磁光薄膜,在磁场作用下线偏振光偏振面发生旋转,且旋转角度正比于待测电流大小,再经S波片和检偏器转换为具有暗纹的条形光斑的线性平移,最后通过PSD位移传感器测量光斑的位移量,即可实现电流的线性测量。优点在于:可以实现对法拉第磁致旋光角的直接线性测量,测量范围大,测量模式与光功率无关。 | ||
搜索关键词: | 电流测量 线性测量 偏振光 测量 测量技术领域 光斑 测量模式 磁场作用 磁光薄膜 磁致旋光 电力系统 条形光斑 线偏振光 线性平移 法拉第 高电流 光功率 检偏器 偏振面 起偏器 位移量 暗纹 光源 转换 | ||
【主权项】:
1.一种基于S波片实现的电流测量方法,其特征在于:光源(1)设置在起偏器(2)的一侧,起偏器(2)的另一侧设置磁光薄膜(3),S波片(4)置于磁光薄膜(3)和检偏器(5)之间,所述检偏器(5)的另一侧设置PSD位移传感器(6);所述光源(1)出射的光经起偏器(2)起偏后得到线偏振光,经过磁光薄膜(3),在磁场作用下线偏振光偏振面发生旋转,且旋转角度正比于待测电流大小,经S波片(4)和检偏器(5)将线偏振光转换为具有暗纹的条形光斑,条形光斑随线偏振光偏振面的旋转直线移动,通过PSD位移传感器(6)测量条形光斑移动的距离,实现对待测电流的测量。
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