[发明专利]具有半导体本体的晶闸管在审
| 申请号： | 201811509621.7 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110047909A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 保罗·施特罗贝尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/74 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨靖;车文 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有半导体本体的晶闸管，半导体本体具有第一传导类型的第一半导体区、布置在第一半导体区上的第二传导类型的第二半导体区、布置在第二半导体区上的第一传导类型的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第二传导类型的第四半导体区，第四半导体区与半导体本体的半导体本体边缘间隔开布置并且具有第一面，第一面构造出半导体本体的第二半导体本体主侧的第一区域，第三半导体区具有穿过第四半导体区伸展直至第二半导体本体主侧的引脚，晶闸管包括布置在第四半导体区和引脚上的并且具有与第四半导体区和引脚的导电接触部的第一金属化部，第四半导体区沿垂直于第一面的法向方向的方向朝向半导体本体边缘的方向伸展超出第一金属化部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区 半导体本体 传导类型 晶闸管 引脚 金属化部 伸展 导电接触部 边缘间隔 第一区域 面构造 法向 垂直 穿过 | ||
【主权项】：
1.具有半导体本体(2)的晶闸管，所述半导体本体具有第一半导体本体主侧(3)、与所述第一半导体本体主侧(3)背对布置的第二半导体本体主侧(4)和围绕所述半导体本体(2)环绕的将所述第一半导体本体主侧和所述第二半导体本体主侧(3，4)连接的半导体本体边缘(10)，其中，所述半导体本体(2)具有第一传导类型的第一半导体区(5)、布置在所述第一半导体区(5)上的第二传导类型的第二半导体区(6)、布置在所述第二半导体区(6)上的第一传导类型的第三半导体区(7)和布置在所述第三半导体区(7)中的第二传导类型的第四半导体区(8)，其中，所述第四半导体区(8)与所述半导体本体边缘(10)间隔开布置并且具有第一面(11)，所述第一面构造出所述第二半导体本体主侧(4)的第一区域，其中，所述第三半导体区(7)具有穿过所述第四半导体区(8)伸展至所述第二半导体本体主侧面(4)的引脚(9，9‘)，其中，所述晶闸管(1)包括布置在所述第四半导体区(8)和所述引脚(9，9‘)上的并且具有与所述第四半导体区(8)和所述引脚(9，9‘)的导电接触部的第一金属化部(12)，其中，所述第四半导体区(8)沿垂直于所述第一面(11)的法向方向(N)的方向朝向所述半导体本体边缘(10)的方向伸展超出所述第一金属化部(12)。
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