[发明专利]原子层沉积设备及方法有效
申请号: | 201811509781.1 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN111304628B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 纪红;史小平;兰云峰;赵雷超;秦海丰;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的原子层沉积设备,包括:第一稀释气路、第一前驱体气路以及第一主路,其中,第一前驱体气路的进气端连接第一前驱体源,第一前驱体气路的出气端连接第一主路的进气端,且第一前驱体气路与第一主路选择性连通;第一稀释气路的进气端连接至第一稀释源,第一稀释气路的出气端连接第一主路的进气端,且第一稀释气路和第一主路选择性连通;第一主路的出气端连接反应腔室。通过在第一前驱气路上设置第一限流结构,限制输送至反应腔室的第一前驱气体流量,当第一前驱气体为高蒸汽压前驱体时,有效降低输送至反应腔室的第一前驱气体流量,以在后续第一吹扫步骤中,无需延长吹扫时长,即能将反应腔室中的第一前驱体彻底吹扫,提高沉积均匀性。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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